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G800N06H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G800N06H product

G800N06H

FETs

MOSFETN-Kanal60VSOT-223

Der G800N06H ist ein 60V N-Kanal-MOSFET von Goford Semiconductor, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler im SOT-223-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit kontinuierlichem Strombedarf über 3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
3 A
RDS(on)
< 80 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

LeistungsschalterDC/DC-Wandler

Datenblatt

8a776532406f313f749a50535e2b913d_2307191058_GOFORD-G800N06H_C7465315.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G800N06H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.