ProjektePreiseInsights

G900P15M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G900P15M product

G900P15M

FETs

MOSFETP-KanalLeistung

Der G900P15M ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET für Hochspannungsschaltanwendungen und DC/DC-Wandler mit einer Nennspannung von -150V und einem Strom von -60A im TO-263-Gehäuse.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen TO-263 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
-150 V
ID
-60 A
RDS(ON)
< 80 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

6a9b7e4c5c98872a513aff9a2a646c37_2307191058_GOFORD-G900P15M_C7465311.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G900P15M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.