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G900P15T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

G900P15T product

G900P15T

FETs

MOSFETP-KanalLeistungsschalter

Der G900P15T ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -150V und -60A im TO-220-Gehäuse, ideal für Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-220 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Treiber-Schaltung

Wichtige Specs

VDS
-150V
ID
-60A
RDS(on)
< 80mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS non-compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

2c6c6a4392690eccf7a80629da9a1d77_2307191058_GOFORD-G900P15T_C7465312.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für G900P15T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der G900P15T ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.