GAN140-650FBEZ Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Nexperia | PartGenie

KI-Zusammenfassung

GAN140-650FBEZ product

Der GAN140-650FBEZ ist ein 650V, 140mΩ GaN-FET im DFN5060-5-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandler.

Ideal für

Hochfrequenz-Leistungswandlung
Kompakte Netzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine direkte Kompatibilität mit Standard-Silizium-MOSFET-Gate-Treibern ohne Anpassung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Treiber-Spannungspegel
Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS: 650 V
RDSon: 140 mΩ
ID: 17 A

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS-compliant
REACH: REACH-compliant
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungswandlungMotorantriebe

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GAN140-650FBEZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 140mΩ Galliumnitrid (GaN) Feldeffekttransistor (FET) in einem oberflächenmontierbaren DFN5060-5-Gehäuse.