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GBG65200NMAR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GBG65200NMAR product

GBG65200NMAR

MOSFETs - Single

GaNLeistungstransistor650VHohe Effizienz

Der GBG65200NMAR ist ein leistungsstarker 650V-GaN-Leistungstransistor, der für schnelles Schalten und hohe Effizienz in Netzteilanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hocheffiziente Netzteile
  • Kompakte Netzadapter
  • Resonanzwandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine hohe Gate-Schwellenspannung erfordern
  • Designs, bei denen strikt Silizium-MOSFETs vorgeschrieben sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
140 mΩ
ID
11 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
nan
HTSUS
nan

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

a931d4b15b8bf09347a600988ff32211_2407111510_GOSEMICON-GBG65200NMAR_C28324645.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GBG65200NMAR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen selbstsperrenden Galliumnitrid-Leistungstransistor (GaN) für 650V, der für hochfrequente Stromwandlungen entwickelt wurde.