Es handelt sich um eine monolithisch integrierte 650V-GaN-Leistungsstufe, die einen Gate-Treiber und einen 150 mΩ GaN-HEMT kombiniert.
GBP65200GPMAR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 650 V
- RDS(on)
- 150 mΩ
- Schaltfrequenz
- 1 MHz
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
Stromversorgung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für GBP65200GPMAR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
