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GBP65200GPMAR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GBP65200GPMAR product

GBP65200GPMAR

Gate Drivers

GaNLeistungsstufe650V

Der GBP65200G ist eine 650V-GaN-Leistungsstufe mit integriertem Gate-Treiber und HEMT, optimiert für hocheffiziente, hochfrequente Stromwandler.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Netzteile
  • Kompakte Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen ohne GaN-Vorteile

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement und PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
150 mΩ
Schaltfrequenz
1 MHz

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GBP65200GPMAR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine monolithisch integrierte 650V-GaN-Leistungsstufe, die einen Gate-Treiber und einen 150 mΩ GaN-HEMT kombiniert.