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GBS030R8TPMAR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GBS030R8TPMAR product

GBS030R8TPMAR

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der GBS030R8TPMAR ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal SGT-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, der für geringe Leitungsverluste in Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Hochstrom-Motortreiber
  • Schaltspannungsregler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Hochspannungsisolierung über 30V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für den Hochstrombetrieb.

Wichtige Specs

VDS
30 V
RDS(on) (Typ)
0,85 mΩ
ID (Tc=25°C)
200 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

988be9e4082336a142f41b24521a1a78_2407111420_GOSEMICON-GBS030R8TPMAR_C28324648.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GBS030R8TPMAR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 30V und einem extrem niedrigen RDS(on) von 0,85mΩ, der für hocheffizientes Schalten konzipiert ist.