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GBS032R4PMAR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GBS032R4PMAR product

GBS032R4PMAR

MOSFETs - Single

N-Kanal30VSGT MOSFETHoher Strom

Der GBS032R4PMAR ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal SGT-MOSFET, der für effiziente Stromwandlung in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Hocheffiziente DC-DC-Wandlung
  • Kompakte Motorsteuerungsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 30V
  • Extrem kostengünstige Designs, bei denen SGT-Technologie überdimensioniert ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiberspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
180 A
RDS(on) max
1,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungMotorsteuerung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GBS032R4PMAR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 30V N-Kanal SGT-MOSFET (Shielded Gate Trench), der für hocheffizientes Energiemanagement optimiert ist und einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand aufweist.