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GBS65060TOA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GBS65060TOA product

GBS65060TOA

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650VTO-220

Der GBS65060TOA ist ein 650V N-Kanal Super-Junction-MOSFET, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Resonante Schaltnetzteile
  • Leistungsstarke Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen der RDS(on) entscheidend ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermischer Widerstand (RθJC) und Kühlkörperdimensionierung

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
50 mΩ
ID
50 A
Qg
90 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungMotorsteuerung

Datenblatt

ef10265e25840d78543a2846326c7cb1_2306200940_GOSEMICON-GBS65060TOA_C7426972.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GBS65060TOA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand, der in einem TO-220-Gehäuse geliefert wird.