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GBS65060TOB KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GBS65060TOB product

GBS65060TOB

MOSFETs - Single

MOSFETSuper Junction650V

Der GBS65060TOB ist ein 650V, 50mΩ N-Kanal Super-Junction-MOSFET für hocheffiziente Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Resonante Schaltwandler
  • Hochfrequenz-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, die kompaktere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
650 V
RDS(on)
50 mΩ
ID
50 A

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungMotorsteuerung

Datenblatt

3a3568dfba6ecaf5ee4e3dfab41a8257_2307101623_GOSEMICON-GBS65060TOB_C7426973.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GBS65060TOB laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 650V N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand und schnellen Schaltzeiten.