ProjektePreiseInsights

GC11N65M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC11N65M product

GC11N65M

MOSFETs - Single

MOSFETSuper-Junction650VLeistung

Der GC11N65M ist ein 650V, 11A N-Kanal Super-Junction-MOSFET im TO-263-Gehäuse, ideal für hocheffiziente Netzteile und industrielle Anwendungen.

Ideal für

  • AC/DC-Stromwandlung
  • PFC-Schaltungen
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Durchsteckmontage erfordern
  • Schalten mit niedrigen Logikpegeln

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS
650 V
ID
11 A
RDS(on)
< 360 mΩ
Gehäuse
TO-263

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

a0639d80607399e1cea4f47e9e583cee_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC11N65M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der GC11N65M ist ein N-Kanal Super-Junction-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, ausgelegt für 650V und 11A, optimiert für effiziente Stromwandlung.