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GC180N65MF KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC180N65MF product

GC180N65MF

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal650VLeistungsschalter

Der GC180N65MF ist ein 650V, 20A N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und in einem TO-263-Gehäuse geliefert wird.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung oder einen extrem niedrigen RDS(on) erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC) und Sperrschichttemperaturgrenzen.

Wichtige Specs

VDS
650V
ID
20A
RDS(on)
190mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungDC/DC-Wandler

Datenblatt

c5cffcc8318375fc15405a80ae77a2ea_2312160131_GOFORD-GC180N65MF_C19673829.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC180N65MF laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für Hochspannungs-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler entwickelt wurde.