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GC2M1000170D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC2M1000170D product

GC2M1000170D

MOSFETs - Single

SiC-MOSFET1700VHochspannungLeistungsschalter

Der GC2M1000170D ist ein 1700V SiC-MOSFET für Hochspannungs-Leistungswandler, der geringe Schaltverluste und hohe thermische Effizienz bietet.

Ideal für

  • Hilfsstromversorgungen
  • Hochspannungs-DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität des Gate-Treibers mit SiC-Spannungspegeln

Wichtige Specs

VDS
1700 V
ID
5 A
RDS(on)
1,0 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungenIndustrie

Datenblatt

0514b941ebf4cd093024cee3b3e8b02e_2406191511_SUPSiC-GC2M1000170D_C7435057.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC2M1000170D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET (SiC) mit einer Durchbruchspannung von 1700V, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.