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GC3D10065H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC3D10065H product

GC3D10065H

SiC Schottky Diodes

SiC Diode650VSchottkyLeistungselektronik

Die GC3D10065H ist eine leistungsstarke 650V 30A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode im TO-247-2 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromversorgungen.

Ideal für

  • Hocheffiziente Netzteile
  • PFC-Stufen
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Kostensensitive Anwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Schaltfrequenz

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassstrom
30 A
Durchlassspannung
1.5 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC3D10065H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 650V Siliziumkarbid-Schottky-Diode für hochfrequente und hocheffiziente Leistungsanwendungen.