GC3M0015065D Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | SUPSiC | PartGenie

KI-Zusammenfassung

GC3M0015065D product

Der GC3M0015065D ist ein 650V, 120A SiC-MOSFET im TO-247-3-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

EV-Ladetechnik
Solar-Wechselrichter
Hochfrequenz-Netzteile

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit geringer Leistung oder hohem Kostendruck, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung mit SiC-Anforderungen.

Wichtige Specs

Vdss: 650 V
Id: 120 A
Rds(on): 15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC3M0015065D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen.