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GC3M0040120D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC3M0040120D product

GC3M0040120D

MOSFETs - Single

SiC MOSFET1200VLeistungselektronik

Der GC3M0040120D ist ein 1200V, 66A SiC-MOSFET im TO-247-3-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung in Industrie- und Automobilanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungs-Leistungswandlung
  • EV-Motorantriebe
  • Solarenergiesysteme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungs- und Low-Power-Anwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermisches Design
  • Schaltfrequenzgrenzen

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
66 A
RDS(on)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

98c018caf179da0b77a9f067c06c9b28_2406191511_SUPSiC-GC3M0040120D_C7435043.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC3M0040120D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET (SiC), der für Hochspannungs- und hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.