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GC3M0060065K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC3M0060065K product

GC3M0060065K

MOSFETs - Single

SiC MOSFET650VLeistungs-MOSFET

Der GC3M0060065K ist ein 650V, 37A N-Kanal SiC-MOSFET im TO-247-4 Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungselektronik.

Ideal für

  • EV-Ladestationen
  • Server-Netzteile
  • Solar-Wechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit niedriger Frequenz und geringen Effizienzanforderungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Treiber-Schaltung mit den -4V/+15V Anforderungen.

Wichtige Specs

Vds
650 V
Id
37 A
Rds(on)
60 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

26ce82d2d634c28dbedcf8b59014d6e8_2406191509_SUPSiC-GC3M0060065K_C7435031.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC3M0060065K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für 650V und 37A ausgelegt ist und für Anwendungen mit hoher Effizienz und Schaltfrequenz entwickelt wurde.