ProjektePreiseInsights

GC3M0065090D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC3M0065090D product

GC3M0065090D

MOSFETs - Single

SiC MOSFET900VTO-247-3

Der GC3M0065090D ist ein 900V SiC-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungswandlungen optimiert ist.

Ideal für

  • EV-Ladegeräte
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermische Anforderungen.

Wichtige Specs

VDS
900 V
ID
36 A
RDS(on)
65 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

6cc2ac411f3d29976c28e705690f6951_2406191509_SUPSiC-GC3M0065090D_C7435034.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC3M0065090D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Hochspannungs- und Hocheffizienzanwendungen.