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GC3M0075120K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC3M0075120K product

GC3M0075120K

MOSFETs - Single

SiC-MOSFET1200VLeistungselektronik

Der GC3M0075120K ist ein 1200V, 32A SiC-MOSFET im TO-247-4-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • EV-Ladegeräte
  • Wechselrichter für erneuerbare Energien
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel und thermisches Design.

Wichtige Specs

VDS
1200 V
ID
32 A
RDS(on)
75 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC3M0075120K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET für Hochspannungs- und Hochfrequenz-Schaltanwendungen.