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GC4D20120H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GC4D20120H product

GC4D20120H

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-Diode1200VSchottky

Die GC4D20120H ist eine 1200V, 26A SiC-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Leistungswandlung in hochfrequenten Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Netzteile
  • PFC-Stufen
  • Wechselrichterschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und Anforderungen an den Kühlkörper

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
26 A
Kapazitive Ladung
99 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GC4D20120H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine 1200V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode für hocheffiziente Leistungselektronik, die sich durch einen Sperrverzögerungsstrom von Null auszeichnet.