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GD10MPS12E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GD10MPS12E product

GD10MPS12E

SiC Schottky Diodes

SiCSchottky1200V10A

Die GD10MPS12E ist eine leistungsstarke 1200V, 10A SiC-Schottky-Diode, optimiert für hohe Effizienz in Schaltnetzteilen.

Ideal für

  • Hocheffiziente Stromwandlung
  • Hochfrequenzanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Stoßstromfestigkeit

Wichtige Specs

Sperrspannung
1200 V
Durchlassstrom
10 A
Betriebstemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GD10MPS12E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Eine 1200V, 10A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode mit Gen4-Technologie für verbesserte Effizienz.