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GKI04076-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GKI04076-HXY product

GKI04076-HXY

FETs

N-KanalMOSFET40VDFN5X6-8L

Der GKI04076 ist ein 40V N-Kanal-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Gate-Ansteuerspannungen über 20V erfordern
  • Umgebungen, die eine Sperrschichttemperatur von 175°C überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Pegel der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
55 A
RDS(ON)
8,5 mΩ
Gehäuse
DFN5X6-8L

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzLastschalter

Datenblatt

9d94f403ac1663668ecc3da234d4cd79_2405211553_HXY-MOSFET-GKI04076-HXY_C22366804.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GKI04076-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der GKI04076 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde und sich durch einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.