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GT011N03D5E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT011N03D5E product

GT011N03D5E

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30VLeistung

Der GT011N03D5E ist ein 30V, 209A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochstrom-Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Strömen oder hohen Spannungsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30V
ID
209A
RDS(on) (10V)
0.95mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

743c172f607241ca036684d6b5d9af3f_2307191059_GOFORD-GT011N03D5E_C7465394.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT011N03D5E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.