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GT011N03ME KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT011N03ME product

GT011N03ME

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VHoher Strom

Der GT011N03ME ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für hohe Ströme im TO-263-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochstrom-Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem kleine Bauformen erfordern (TO-263 ist relativ groß).

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
209 A
RDS(on)
1,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

8d7ff4373620e38b1491ad221ffdd865_2307191100_GOFORD-GT011N03ME_C7465434.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT011N03ME laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für hocheffizientes Schalten und DC/DC-Wandler entwickelt wurde.