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GT011N03TLE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT011N03TLE product

GT011N03TLE

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung30V

Der GT011N03TLE ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET im TOLL-8L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Hochstrom-Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, bei denen kleinere Gehäuse bevorzugt werden

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
250 A
RDS(on)
1,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT011N03TLE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für hocheffiziente Leistungsanwendungen konzipiert ist.