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GT013N04T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT013N04T product

GT013N04T

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET40VTO-220

Der GT013N04T ist ein 40V, 220A N-Kanal-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der für Hochstrom-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem begrenztem Platzangebot
  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von über 90W erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RthJC = 1,39°C/W)
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
220 A
RDS(on)
< 2,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschalterDC/DC-Wandler

Datenblatt

926667276b548b0a0ecf4314285248c0_2312160131_GOFORD-GT013N04T_C19673792.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT013N04T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der GT013N04T ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der auf Trench-Technologie basiert und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand auszeichnet.