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GT019N04D5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT019N04D5 product

GT019N04D5

FETs

N-KanalMOSFET40VLeistung

Der GT019N04D5 ist ein 40V, 120A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im DFN5x6-8L-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Treiber-Kapazität

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
120 A
RDS(on) @ 10V
2,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

9e2b4d62d6b9a9bcc9466d2d7bdf9b11_2307191058_GOFORD-GT019N04D5_C7465313.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT019N04D5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der sich durch niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung auszeichnet.