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GT025N06AM-B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT025N06AM-B product

GT025N06AM-B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistung

Der GT025N06AM-B ist ein 60V, 170A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-263-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Anwendungen mit geringer Leistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
170 A
RDS(ON)
< 3,2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

4586df438e39247eec9f75a990f10765_2403181120_GOFORD-GT025N06AM-B_C22362831.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT025N06AM-B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, ausgelegt für 60V und 170A.