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GT035N06T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT035N06T product

GT035N06T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistung

Der GT035N06T ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement in Industrie- und Verbraucheranwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC/DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, die kleinere Gehäuse als TO-220 erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
170 A
RDS(ON)
3.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

efce4c0fd8db4d758c330ac38cc57d96_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT035N06T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung nutzt.