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GT060N04D5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT060N04D5 product

GT060N04D5

MOSFETs - Single

Dual-N-KanalMOSFET40V62A

Der GT060N04D52 ist ein Dual-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine High-Side-Gate-Ansteuerung ohne Pegelwandlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
62 A
RDS(on)
6,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

d8faa6167c78850c410cc66df7a743cb_2212141409_GOFORD-GT060N04D5_C5258963.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT060N04D5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im DFN5x6-8L-Gehäuse, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.