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GT060N04D52 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT060N04D52 product

GT060N04D52

FETs

MOSFETDual N-Kanal40V

Der GT060N04D52 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im DFN5x6-8L-Gehäuse, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Spannungsfestigkeit von mehr als 40V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS
40V
ID
62A
RDS(on)
6,5mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

4258542257c8fce25d9ea48c995c1800_2307191057_GOFORD-GT060N04D52_C7465295.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT060N04D52 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.