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GT065P06T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT065P06T product

GT065P06T

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalLeistungTO-220

Der GT065P06T ist ein leistungsstarker P-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, der sich ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler eignet.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-220 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-82 A
RDS(ON)
< 7.5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

1f431142ff0fa357f2d3007384176f41_2307191058_GOFORD-GT065P06T_C7465385.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT065P06T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET in Trench-Technologie mit einer Nennspannung von -60V und einem Strom von -82A.