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GT080N10M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT080N10M product

GT080N10M

FETs

N-KanalMOSFET100VTO-263

Der GT080N10M ist ein 100V, 70A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-263-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Spannungen unter 4,5V
  • Designs, bei denen das TO-263-Gehäuse zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung bei hohen Strömen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
70 A
RDS(on)
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS non-compliant
REACH
Vendor Undefined
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

LeistungsschalterDC/DC-Wandler

Datenblatt

ff9b9c47fb0def4100805d98315dc1eb_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT080N10M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der GT080N10M ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.