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GT100N04D3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT100N04D3 product

GT100N04D3

FETs

MOSFETN-Kanal40VLeistung

Der GT100N04D3 ist ein 40V, 13A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im DFN3x3-8L-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 40V Drain-Source-Spannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
13 A
RDS(ON)
< 10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

0a3844af9e24c6a778ea267083a54f92_2212230930_GOFORD-GT100N04D3_C5162370.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT100N04D3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten entwickelt wurde.