Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.
GT105N10F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 100 V
- ID
- 33 A
- RDS(ON)
- 10,5 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- nan
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
Anwendung
Energieverwaltung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für GT105N10F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
