ProjektePreiseInsights

GT10N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT10N10 product

GT10N10

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTO-252

Der GT10N10 ist ein 100V, 7A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeines Schalten von Lasten

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 7A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
7 A
RDS(ON)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

99c899515338097de40b1e00117f2109_2212231008_GOFORD-GT10N10_C581347.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT10N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der GT10N10 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde.