ProjektePreiseInsights

GT120N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT120N10 product

GT120N10

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalLeistung100V

Der GT120N10 ist ein 100V N-Kanal Super-Trench-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungsschaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr geringer Leistung, bei denen die Gate-Ladung zu hohe Verluste verursacht

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Treiber-Strom

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
120 A
RDS(on)
3.7 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

7697cfcf29bca7b526bb38903e4c8a82_2304140030_GOFORD-GT120N10_C224107.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT120N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen leistungsstarken N-Kanal-MOSFET mit Super-Trench-Technologie, der für 100V und 120A spezifiziert ist.