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GT130N10F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT130N10F product

GT130N10F

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistungsschalter

Der GT130N10F ist ein 100V, 45A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220F-Gehäuse, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen thermischen Widerstand erfordern (TO-220F ist isoliert, hat aber einen höheren RthJC als Standard-TO-220).

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
100V
ID
45A
RDS(on)
12mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

da83f5196e2c2e0373bba1fc43a05fa7_2307191100_GOFORD-GT130N10F_C7465431.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT130N10F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.