ProjektePreiseInsights

GT130N10M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT130N10M product

GT130N10M

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der GT130N10M ist ein 100V, 60A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine andere Gehäuseform oder extrem niedrige Gate-Ladung erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
60 A
RDS(on)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

62fc5281e98ba37a790a9e1ce978cd1d_2307191100_GOFORD-GT130N10M_C7465429.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT130N10M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand auszeichnet.