ProjektePreiseInsights

GT180P08D5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT180P08D5 product

GT180P08D5

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET80VLeistung

Der GT180P08D5 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET im DFN5x6-8L-Gehäuse, optimiert für Stromschaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Stromschaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs ohne thermische Ableitung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-80 V
ID
-89 A
RDS(on)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

aef932313bc63dc6784806a9b0993ccb_2401241508_GOFORD-GT180P08D5_C7465397.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT180P08D5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung nutzt.