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GT1K2P15K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT1K2P15K product

GT1K2P15K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET150VTO-252

Der GT1K2P15K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus von Goford Semiconductor, optimiert für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • DC/DC-Wandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem hohe Schaltfrequenzen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-150 V
ID
-27 A
RDS(on)
< 110 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

31620d6a60e02c65476eb9746656be47_2312160131_GOFORD-GT1K2P15K_C19673831.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT1K2P15K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.