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GT250P10T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT250P10T product

GT250P10T

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTO-220Leistungsschalter

Der GT250P10T ist ein leistungsstarker P-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford, der für Schaltnetzteile und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-220 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-56 A
RDS(on)
< 30 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

fdc4a87590b1f6c31663b57e8f23468b_2312160131_GOFORD-GT250P10T_C19673855.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT250P10T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt und in einem TO-220-Gehäuse untergebracht ist.