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GT30J122A(STA1,E,D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT30J122A(STA1,E,D product

GT30J122A(STA1,E,D

Transistors - IGBTs - Single

IGBT600VLeistung

Der GT30J122A ist ein 600V, 30A N-Kanal-IGBT, der für schnelles Schalten in resonanten Wechselrichtern und PFC-Schaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Resonante Wechselrichter
  • PFC-Stufen

Vermeiden, wenn

  • Allgemeine Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen günstigere MOSFETs ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhrkapazität
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VCES
600 V
IC (DC)
30 A
VCE(sat)
1.7 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungswandlung

Datenblatt

23dede298be4aa87d8916f7a66e3bbc1_1912111437_TOSHIBA-GT30J122A-STA1-E-D_C435817.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT30J122A(STA1,E,D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-IGBT der 4. Generation von Toshiba für effiziente Leistungswandlung.