Der GT50JR22 ist ein Silizium-N-Kanal-RC-IGBT der 6,5. Generation mit integrierter Freilaufdiode, optimiert für resonante Schaltvorgänge.
GT50JR22(S1WLD,E,S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
GT50JR22(S1WLD,E,S
IGBTs - Single
Wichtige Specs
- Vces
- 600 V
- Ic (DC)
- 50 A
- Vce(sat)
- 1,55 V
- Tj (Max)
- 175 °C
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
Wechselrichter
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für GT50JR22(S1WLD,E,S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.