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GT52N10T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT52N10T product

GT52N10T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTO-220

Der GT52N10T ist ein 100V, 70A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die SMD-Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
70 A
RDS(on)
9 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

e4ffbc79601c97884b1439266a242fca_2212231008_GOFORD-GT52N10T_C581350.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT52N10T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Goford Semiconductor, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.