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GT55N06D5-B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT55N06D5-B product

GT55N06D5-B

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VLeistung

Der GT55N06D5-B ist ein 60V N-Kanal-MOSFET von GOFORD, der für effiziente Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler im kompakten DFN5*6-8L-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Leistungsschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungsanforderungen deutlich über 60V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
45 A
RDS(on)
< 11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT55N06D5-B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der sich durch niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung auszeichnet.