ProjektePreiseInsights

GT750P10K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

GT750P10K product

GT750P10K

FETs

P-KanalMOSFET100VTO-252

Der GT750P10K ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit -100V und -24A im TO-252-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Stromschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter -1V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-24 A
RDS(on)
65 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

6b47974e7d0c9648e0080d84a5cd5309_GOFORD-GT750P10K.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für GT750P10K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.