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H2SB1260T100R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H2SB1260T100R product

H2SB1260T100R

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT-89

Der H2SB1260T100R ist ein PNP-Leistungstransistor für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen im SOT-89-Gehäuse.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 500mW Verlustleistung ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung
  • Pinbelegung

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-80 V
IC
-1 A

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeine Elektronik

Datenblatt

0d6ad2fc244242224281d96a002811f7_2407151447_HXY-MOSFET-H2SB1260T100R_C22462620.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H2SB1260T100R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Leistungstransistor für bis zu -80V und -1A, der häufig in Schalt- und Verstärkerschaltungen eingesetzt wird.