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H2SC3357-RE KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H2SC3357-RE product

H2SC3357-RE

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

NPNHF-TransistorSOT-89

Der H2SC3357-RE ist ein NPN-HF-Transistor im SOT-89-Gehäuse, der für Hochfrequenzanwendungen mit einer Transitfrequenz von 6,5 GHz optimiert ist.

Ideal für

  • HF-Signalverstärkung
  • Hochfrequenzoszillatoren

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen über 100 mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im PCB-Layout

Wichtige Specs

VCEO
12 V
fT
6,5 GHz
IC
100 mA
Gehäuse
SOT-89

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

HF-Verstärker

Datenblatt

9b06a99407dd131e2a210a0dae195f9d_2406131717_HXY-MOSFET-H2SC3357-RE_C22462622.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H2SC3357-RE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-HF-Transistor, der für die Verstärkung von Hochfrequenzsignalen entwickelt wurde.