ProjektePreiseInsights

H3139K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

H3139K product

H3139K

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-723

Der HCJ3139K ist ein kompakter P-Kanal-MOSFET für das Energiemanagement und Batterieschutz in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Batterieschutzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,15 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,66 A
RDS(on)
< 560 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikBatteriemanagement

Datenblatt

eff8193c28932d1269b4292e14d10844_2401261528_HXY-MOSFET-HCJ3139K_C20616300.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für H3139K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, optimiert für Schaltanwendungen bei niedrigen Spannungen.